等離子清洗涉及刻蝕工藝領域，并且完全滿足去除刻蝕工藝后硅片表面殘

　　留顆粒的清洗。

　　背景技術

　　在刻蝕過程中，顆粒的來源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結束后會在硅片表面產生一定數量的顆粒；反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒；反應室內的內襯( liner)也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒?？涛g后硅片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。

　　目前，常用的去除硅片表面顆粒的方法有兩種：一種是標準清洗( RCA)清洗技術，另一種是用硅片清洗機進行兆聲清洗。RCA清洗技術所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統。其清洗工序為：一號液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質。去除顆粒的原理為：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕后立即發生氧他，氧化和腐蝕反復進行，附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無關。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，并隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術存在以下缺陷：需要人工操作，勞動量大，操作環境危險；工藝復雜，清洗時間長，生產效率低；清洗溶劑長期浸泡容易對硅片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高；去除

　　粒子效果較好，但去除金屬雜質Al、Fe效果欠佳。

　　用硅片清洗機進行兆聲清洗是將硅片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中硅片不斷旋轉，清洗液噴淋在硅片表面?？梢赃M行不同轉速和噴淋時間的設置，連續完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。

　　用硅片清洗機進行兆聲清洗的缺陷表現為：只能進行單片清洗，單片清洗時間長，導致生產效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高。